M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55N3F2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FT55M3F2 מאת Micron Technology ו M29F800FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29F800FT55M3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | — |
| ארגון | 512K x 16 / 1M x 8 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Position | Top boot block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 44-pin SO (SOP) | 48-pin TSOP |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (T/R) |
| ממשק | Parallel, x8/x16 selectable | Parallel |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free suffix F2) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| גודל זיכרון | — | 8 Mbit |
| מתח אספקה | — | 5 V (single supply) |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (T) |
| Programming Voltage | — | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |