M29F800FT55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55N3F2 M29F800FT55M3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Bellek Boyutu 8 Mbit —
Organizasyon 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Besleme Gerilimi 5 V (single supply) —
Access Time 55 ns 55 ns
Arayüz Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
Paket 48-pin TSOP 44-pin SO (SOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free suffix F2)
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin