M29F800FT55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FT55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F800FT55M3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FT55N3F2 M29F800FT55M3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
גודל זיכרון 8 Mbit —
ארגון 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
מתח אספקה 5 V (single supply) —
Access Time 55 ns 55 ns
ממשק Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
מארז 48-pin TSOP 44-pin SO (SOP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free suffix F2)
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר