M29F800FT55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FT55N3F2 بذریعہ Micron Technology اور M29F800FT55M3F2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FT55N3F2 M29F800FT55M3F2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
میموری سائز 8 Mbit —
تنظیم 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
سپلائی وولٹیج 5 V (single supply) —
Access Time 55 ns 55 ns
انٹرفیس Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
پیکیج 48-pin TSOP 44-pin SO (SOP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free suffix F2)
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں