M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160EB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W800FB70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
Bellek Boyutu 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Organizasyon 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
Arayüz Türü — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Paket — TSOP-48 (12 x 20 mm)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin