M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F 比較

詳細並排比較 M29W160EB70N3E 由 Micron Technology 與 M29W800FB70N3F 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ 啟用中
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
記憶體容量 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
組織 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
介面 Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
工作溫度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
封裝 / 外殼 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL 等級 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
介面類型 — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
封裝 — TSOP-48 (12 x 20 mm)

資料表與資源

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