M29W160EB70N3E vs M29W800FB70N3F השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W160EB70N3E מאת Micron Technology ו M29W800FB70N3F מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W160EB70N3E M29W800FB70N3F
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
גודל זיכרון 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
ארגון 2M x8 / 1M x16 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
ממשק Parallel —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us (typical) 10 us per byte/word (typical)
Cell Type SLC NOR —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
מארז / Case 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Mbit
סוג ממשק — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
מארז — TSOP-48 (12 x 20 mm)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר