M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160ET70N3F tarafından Micron Technology ve M29W160EB70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160EB70N3F M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160ET70N3F M29W160EB70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash FLASH - NOR
Bellek Boyutu 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
Besleme Gerilimi 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Paket 48-pin TSOP —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified Automotive, AEC-Q100
Packaging Tape and Reel Tape & Reel
RoHS Durumu RoHS-compliant package (F option) —
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
Arayüz — Parallel (Byte/Word-wide)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Position — Bottom boot block
Paket / Kas — 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Erase Architecture — Block erase (boot block + main blocks)
Common Flash Interface — Yes (CFI compliant)
Reset Input — RESET# hardware reset pin
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin