M29W160FB70N3E vs M29W160EB80ZA3SE Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W160FB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W160EB80ZA3SE tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W160FB70N3E M29W160EB80ZA3SE
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
Bellek Boyutu 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 80 ns
Arayüz Parallel Parallel (Byte-wide / Word-wide)
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Besleme Gerilimi — 2.7 V to 3.6 V
Organizasyon — 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Paket — 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
Qualification — AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu — Pb-free (SE suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin