M29W320DT70N3E vs M29DW323DB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W320DT70N3E tarafından Micron Technology ve M29DW323DB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W320DT70N3E M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W320DT70N3E M29DW323DB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash Flash - NOR
Bellek Boyutu 32 Mbit —
Organizasyon 4M x8 / 2M x16 —
Arayüz Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Read Current (typical) 10 mA —
Boot Block Architecture Top boot (DT suffix) —
Boot Region 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block —
Paket 48-TSOP I 48-TSOP I
Package Length 18.4 mm —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 3 (168 Hours) —
Peak Reflow Temperature Time 30 s —
Packaging Tray —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Format — FLASH
Technology — FLASH - NOR Memory IC
Density — 32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Memory Organization — 4M x 8 / 2M x 16
Besleme Gerilimi — 3 V class (per manufacturer datasheet)
Boot Block Location — Bottom (DB variant)
Byte/Word Organization Select — Yes (BYTE pin)
Applications Domain — Embedded code storage / XIP
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: standard pack quantity]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin