MT40A256M16LY-062E vs NT5AD512M16C4-JRU Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A256M16LY-062E tarafından Micron Technology ve NT5AD512M16C4-JRU tarafından Nanya TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ Aktif
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT40A256M16LY-062E NT5AD512M16C4-JRU
Marka Micron Technology Nanya Technology
Kategori Memory ICs DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $83,00
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gbit —
Organizasyon 256M x16 512M x 16
Arayüz Parallel CMOS, DDR4
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Access Time (tAA) 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Data Rate Class DDR4-2666 (062E speed grade) —
Paket 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (IT variant) -40C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC (Command/Address) Yes —
Data Mask (DM) Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
FBGA Code D9XSG (AUT variant) —
RoHS Durumu Compliant (F = RoHS/lead-free finish) Green Product (per Nanya product page)
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +95 C (industrial grade)
Built-in Temperature Sensor — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin