MX30UF4G28AB vs MX30UF4G26AB Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MX30UF4G28AB tarafından Macronix ve MX30UF4G26AB tarafından MacronixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MX30UF4G28AB MX30UF4G26AB
Marka Macronix Macronix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NAND (SLC) FLASH - NAND (SLC)
Bellek Boyutu 4 Gbit —
Memory Organization 512M x 8 256M x 16
Arayüz Parallel (asynchronous) Parallel (Asynchronous NAND)
Bus Width x8 / x16 selectable —
Access Time (tRC) 25 ns (typical) —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
Technology SLC (Single-Level Cell) NAND —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare (x8) [DATA_NEEDED: page size in bytes]
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size in pages]
Paket 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI) 63-VFBGA (9 x 11 mm)
İşletim Sıcaklığı -40 °C to +85 °C (industrial) -40 C to +85 C
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention years]
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP) 3
Memory Density — 4 Gbit (512 MB)
Supply Voltage (Vcc) — 1.7 V to 1.95 V
Access Time — 25 ns
Compliance Standard — ONFI 1.0
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
Endurance (P/E Cycles) — [DATA_NEEDED: typical endurance per block]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin