MX30UF4G28AB vs MX30UF4G26AB So sánh

So sánh chi tiết song song của MX30UF4G28AB bằng Macronix và MX30UF4G26AB bằng Macronix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Macronix
MX30UF4G28AB MX30UF4G28AB - 4Gbit SLC Parallel NAND Flash | Macronix

MX30UF4G28AB - 4Gbit SLC Parallel NAND Flash | Macronix

MX30UF4G28AB ✓ Hoạt động
Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MX30UF4G28AB MX30UF4G26AB
Thương hiệu Macronix Macronix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ FLASH - NAND (SLC) FLASH - NAND (SLC)
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit —
Memory Organization 512M x 8 256M x 16
Giao diện Parallel (asynchronous) Parallel (Asynchronous NAND)
Bus Width x8 / x16 selectable —
Access Time (tRC) 25 ns (typical) —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
Technology SLC (Single-Level Cell) NAND —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare (x8) [DATA_NEEDED: page size in bytes]
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size in pages]
Hộp 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI) 63-VFBGA (9 x 11 mm)
Nhiệt độ hoạt động -40 °C to +85 °C (industrial) -40 C to +85 C
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention years]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP) 3
Memory Density — 4 Gbit (512 MB)
Supply Voltage (Vcc) — 1.7 V to 1.95 V
Access Time — 25 ns
Compliance Standard — ONFI 1.0
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
Endurance (P/E Cycles) — [DATA_NEEDED: typical endurance per block]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá