MX30UF4G28AB vs MX30UF4G26AB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MX30UF4G28AB מאת Macronix ו MX30UF4G26AB מאת Macronix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MX30UF4G28AB | MX30UF4G26AB |
|---|---|---|
| מותג | Macronix | Macronix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | FLASH - NAND (SLC) | FLASH - NAND (SLC) |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | 256M x 16 |
| ממשק | Parallel (asynchronous) | Parallel (Asynchronous NAND) |
| Bus Width | x8 / x16 selectable | — |
| Access Time (tRC) | 25 ns (typical) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) | — |
| Technology | SLC (Single-Level Cell) NAND | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare (x8) | [DATA_NEEDED: page size in bytes] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size in pages] | [DATA_NEEDED: block size in pages] |
| מארז | 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI) | 63-VFBGA (9 x 11 mm) |
| טמפרטורת פעולה | -40 °C to +85 °C (industrial) | -40 C to +85 C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance per block] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: data retention years] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP) | 3 |
| Memory Density | — | 4 Gbit (512 MB) |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 1.7 V to 1.95 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Compliance Standard | — | ONFI 1.0 |
| Cell Technology | — | Single-Level Cell (SLC) |
| Endurance (P/E Cycles) | — | [DATA_NEEDED: typical endurance per block] |