PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma PDRQLAKCDF12-00 tarafından Samsung Electronics ve K4RAH165VB-BCQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre PDRQLAKCDF12-00 K4RAH165VB-BCQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit —
Organizasyon 1G x 16 —
Veri Hızı 7200 Mbps per pin 4800 Mbps
Speed Bin DDR5-7200 —
Operating Voltage 1.1 V —
Paket 102-ball FBGA 106-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Generation DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) —
Arayüz JEDEC DDR5 —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
tCK / Cycle Time [DATA_NEEDED: clock cycle time] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Bellek Boyutu — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Özellikler — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Yaşam Döngüsü Durumu — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin