PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCQK مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار PDRQLAKCDF12-00 توسط Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ فعالSamsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| سازمان | 1G x 16 | — |
| نرخ داده | 7200 Mbps per pin | 4800 Mbps |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| بستهبندی | 102-ball FBGA | 106-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| رابط | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| اندازه حافظه | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| ویژگیها | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |