PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ PDRQLAKCDF12-00 بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 7200 Mbps per pin | 4800 Mbps |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| العلبة | 102-ball FBGA | 106-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| الواجهة | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| الميزات | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |