PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCQK So sánh

So sánh chi tiết song song của PDRQLAKCDF12-00 bằng Samsung Electronics và K4RAH165VB-BCQK bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số PDRQLAKCDF12-00 K4RAH165VB-BCQK
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit —
Tổ chức 1G x 16 —
Tốc độ dữ liệu 7200 Mbps per pin 4800 Mbps
Speed Bin DDR5-7200 —
Operating Voltage 1.1 V —
Hộp 102-ball FBGA 106-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Generation DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) —
Giao diện JEDEC DDR5 —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
tCK / Cycle Time [DATA_NEEDED: clock cycle time] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Kích thước bộ nhớ — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
Error Correction — On-die ECC
Tính năng — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Memory Format — DRAM (volatile)
Packaging — Tray
Trạng thái vòng đời — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá