SPP80P06PHXKSA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma SPP80P06PHXKSA1 tarafından Infineon ve IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre SPP80P06PHXKSA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -80 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 340 W —
Paket PG-TO220-3-1 (TO-220-3, through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Technology OptiMOS P-channel trench MOSFET —
Pin Sayısı 3 —
Gate Threshold VGS(th) type [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mOhm] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg in nC] —
Avalanche Energy Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Package Quantity (Tube) 50 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin