STW45NM50 vs IPP600N25N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma STW45NM50 tarafından STMicroelectronics ve IPP600N25N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre STW45NM50 IPP600N25N3GXKSA1
Marka STMicroelectronics Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $9,55 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Paket TO-247 —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant —
Klorürsüz Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 25 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 60 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 136 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Paket / Kas — TO-220-3 (PG-TO220-3-1)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr typical value]
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin