STW45NM50 vs IPP600N25N3GXKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار STW45NM50 توسط STMicroelectronics و IPP600N25N3GXKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
STMicroelectronics
STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STW45NM50 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | STW45NM50 | IPP600N25N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برند | STMicroelectronics | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $9.55 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 500 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 45 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.09 ohm | — |
| Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1.2 J | — |
| Power Dissipation (PD) | 450 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +150°C | -55C to +175C (junction) |
| بسته‌بندی | TO-247 | — |
| نوع نصب | Through Hole | Through Hole |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 25 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 60 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| بسته‌بندی / کیس | — | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | [DATA_NEEDED: trr typical value] |
| Lead Free Status | — | Lead Free / RoHS Compliant |
| تعداد پایه | — | 3 (Gate, Drain, Source) |