TJ60S06M3LT6L1.NQ vs TJ60S06M3L(T6L1NQ Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma TJ60S06M3LT6L1.NQ tarafından Toshiba ve TJ60S06M3L(T6L1NQ tarafından ToshibaAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Toshiba
TJ60S06M3L(T6L1,NQ - P-Ch -60V -60A 11.2mOhm DPAK+ MOSFET | Toshiba
TJ60S06M3LT6L1.NQ ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | TJ60S06M3LT6L1.NQ | TJ60S06M3L(T6L1NQ |
|---|---|---|
| Marka | Toshiba | Toshiba |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -60 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 0.0112 ohm | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 7760 pF | 7760 pF typ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | DPAK+ (TO-252) | DPAK+ (TO-252-3) |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (Tj) | — |
| Technology | Toshiba U-MOS (silicon) | Silicon U-MOS (trench) |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Toshiba product positioning) | — |
| Transistor Türü | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | -60 V |
| Gate-Source Voltage (VGSS) | — | +10 V / -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -60 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 100 W (Tc) |
| RDS(ON) Max @ VGS = -10 V | — | 14.5 mOhm |
| RDS(ON) Typ @ VGS = -10 V | — | 11.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | -3.0 V typ (VDS = -1 mA, enhancement mode) |
| Leakage Current (IDSS) Max | — | -10 uA (VDS = -40 V) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |