UCC21550BDWR vs UCC21550BQDWRQ1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550BDWR tarafından Texas Instruments ve UCC21550BQDWRQ1 tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550BDWR UCC21550BQDWRQ1
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Çıkış Konfigürasyonu Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) 8 V (driver supply)
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Paket 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
Number of Channels — 2
Configuration — Two low-side / two high-side / half-bridge
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
İşletim Besleme Gerilimi — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin