UCC21550BDWR vs UCC21550BQDWRQ1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از UCC21550BDWR بذریعہ Texas Instruments اور UCC21550BQDWRQ1 بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر UCC21550BDWR UCC21550BQDWRQ1
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
آؤٹ پٹ کنفیگریشن Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) 8 V (driver supply)
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
پیکیج 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
Number of Channels — 2
Configuration — Two low-side / two high-side / half-bridge
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
آپریٹنگ سپلائی وولٹیج — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں