UCC21550BDWR vs UCC21550BQDWRQ1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של UCC21550BDWR מאת Texas Instruments ו UCC21550BQDWRQ1 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר UCC21550BDWR UCC21550BQDWRQ1
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
תצורת מוצא Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) 8 V (driver supply)
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
מארז 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
Number of Channels — 2
Configuration — Two low-side / two high-side / half-bridge
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מתח אספקה פעיל — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר