UCC21550BDWR vs UCC21710QDWRQ1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550BDWR tarafından Texas Instruments ve UCC21710QDWRQ1 tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550BDWR UCC21710QDWRQ1
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Çıkış Konfigürasyonu Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A +10 A
Peak Sink Current 6 A -10 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes —
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Paket 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW) wide-body
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Fonksiyon — Single-channel isolated gate driver
Isolation Technology — SiO2 capacitive coupling
Isolation Rating (rms) — 5.7 kVrms (reinforced)
Working Voltage (rms) — 1.5 kVrms
Target Switches — SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs
Propagation Delay (typ.) — 60 ns
CMTI (min.) — 100 V/ns
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) — 12.8 V to 18 V
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q100
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin