UCC21550BDWR vs UCC21710QDWRQ1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של UCC21550BDWR מאת Texas Instruments ו UCC21710QDWRQ1 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ פעיל
Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר UCC21550BDWR UCC21710QDWRQ1
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $2.74
תצורת מוצא Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A +10 A
Peak Sink Current 6 A -10 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms —
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes —
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
מארז 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW) wide-body
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
פונקציה — Single-channel isolated gate driver
Isolation Technology — SiO2 capacitive coupling
Isolation Rating (rms) — 5.7 kVrms (reinforced)
Working Voltage (rms) — 1.5 kVrms
Target Switches — SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs
Propagation Delay (typ.) — 60 ns
CMTI (min.) — 100 V/ns
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) — 12.8 V to 18 V
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q100
RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר