1EDN7126GXTMA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7126GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1ED44173N01BXTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1ED44173N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7126GXTMA1 1ED44173N01BXTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +125C —
پیکیج PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-3 (6-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
رائز ٹائم — [DATA_NEEDED: rise time]
فال ٹائم — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
کوئیسینٹ کرنٹ — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
این ایبل پن — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں