1EDN7126GXTMA1 vs 1ED44173N01BXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon ו 1ED44173N01BXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED44173N01BXTSA1 1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side Gate Driver | Infineon

1ED44173N01BXTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7126GXTMA1 1ED44173N01BXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-3 (6-pin)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Product Type — Low-Side MOSFET Gate Driver
Number of Channels — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 25 V
Output Current (Source) — 2.6 A typical
Output Current (Sink) — 2.6 A typical
זמן עלייה — [DATA_NEEDED: rise time]
זמן ירידה — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay — < 100 ns typical
זרם מנוחה — 0.4 mA typical
Over-Current Protection — Yes (integrated, 4.5 V to 25 V threshold)
Fault Reporting — Yes (open-drain FAULT pin)
פין הפעלה — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר