AUIRF7640S2TR vs IPB019N08N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AUIRF7640S2TR بذریعہ Infineon اور IPB019N08N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AUIRF7640S2TR IPB019N08N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
پیکیج DirectFET SB (Surface Mount) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں