AUIRF7640S2TR vs IPB019N08N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار AUIRF7640S2TR توسط Infineon و IPB019N08N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر AUIRF7640S2TR IPB019N08N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
بسته‌بندی DirectFET SB (Surface Mount) PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] -55 °C to +175 °C
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) MOSFET (Metal Oxide)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت