BSC026N04LSATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC026N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC019N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC026N04LSATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |