BSC076N04NDATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ068N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSZ068N06NSATMA1 - 60V, 6.8mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ068N06NSATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC076N04NDATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | 6.8 mΩ @ VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | 2.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | 46 W |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 5 (trench-gate) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| MSL لیول | — | MSL1 |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, halogen-free |