BSP135H6906XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP135H6906XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP316PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP135H6906XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA -680 mA
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) SIPMOS (P-channel MOSFET)
MSL لیول 1 (unlimited) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
پنز کی تعداد — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں