BSP135H6906XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP135H6906XTSA1 bằng Infineon và BSP316PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP316PH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP135H6906XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 120 mA | -680 mA |
| RDS(on) Max at VGS=0V | 45 Ohm | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 1.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | Depletion mode (normally-on) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 4 (3 leads + drain tab) | — |
| Technology | SIPMOS (planar high-voltage) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Số lượng chân | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |