BSP92PH6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP92PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSR316PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP92PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL لیول 1 (unlimited) 1
پن کی تعداد 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Polarity — P-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں