BSP92PH6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP92PH6327XTSA1 توسط Infineon و BSR316PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP92PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
نوع ترانزیستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
دمای کاری -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
سطح MSL 1 (unlimited) 1
تعداد پایه 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — P-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
محدوده دمای کاری — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
وضعیت RoHS — Compliant
Polarity — P-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت