BSS127H6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS127H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 3
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) Compliant
ہیلوجن فری Yes, per IEC 61249-2-21 Yes (Infineon 'green' package)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction, typical)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں