BSS127H6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS127H6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSS127H6327XTSA2 | BSS126H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 C to +150 C | — |
| מארז | SOT-23-3 (PG-SOT23) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 | 3 |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes, per IEC 61249-2-21 | Yes (Infineon 'green' package) |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 mA |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 500 mW |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 500 ohm (typical for depletion-mode) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max/min] |
| Technology | — | SIPMOS (DMOS) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Depletion (normally-on at VGS = 0) |
| Lead-Free | — | Yes |