H5AN8G8NDJR vs K4A8G085WB-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G8NDJR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| پیکیج | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| CAS لیٹنسی | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes |