H5AN8G8NDJR vs K4A8G085WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NDJR توسط SK hynix و K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NDJR | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| تأخیر CAS | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes |