IGLR70R200D2SXUMA1 vs IAUS260N10S5N019TATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon اور IAUS260N10S5N019TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGLR70R200D2SXUMA1 | IAUS260N10S5N019TATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40 °C to +150 °C | -55 C to +175 C (Tj) |
| پیکیج | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) |
| RoHS | Compliant | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 260 A (Tj) |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 300 W (Tc) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| پن کی تعداد | — | 16 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |