IGW40N120H3FKSA1 vs IGD08N120S7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGW40N120H3FKSA1 بذریعہ Infineon اور IGD08N120S7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGW40N120H3FKSA1 IGD08N120S7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ IGBTs IGBTs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series TRENCHSTOP™ IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V —
Current - Collector (Ic) Max 80 A —
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A —
Power - Max 483 W —
Gate Charge (Qg) 185 nC —
Input Type Standard —
Operating Temperature (TJ) -40 °C to +175 °C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
پیکیج / کیس PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
Packaging Tube —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Continuous Collector Current (Ic) 40 A (per Infineon product page) —
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40C to +175C (industry grade)
پیکیج — PG-TO252-3 (DPAK)
Technology — Trench Field Stop, 7th generation
Configuration — Single

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں