IGW40N120H3FKSA1 vs IGD08N120S7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IGW40N120H3FKSA1 توسط Infineon و IGD08N120S7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IGW40N120H3FKSA1 IGD08N120S7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی IGBTs IGBTs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series TRENCHSTOP™ IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V —
Current - Collector (Ic) Max 80 A —
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A —
Power - Max 483 W —
Gate Charge (Qg) 185 nC —
Input Type Standard —
Operating Temperature (TJ) -40 °C to +175 °C —
نوع نصب Through Hole Surface Mount
بسته‌بندی / کیس PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
Packaging Tube —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Continuous Collector Current (Ic) 40 A (per Infineon product page) —
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
دمای اتصال کاری — -40C to +175C (industry grade)
بسته‌بندی — PG-TO252-3 (DPAK)
Technology — Trench Field Stop, 7th generation
Configuration — Single

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت