IGW40N120H3FKSA1 vs IGD08N120S7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IGW40N120H3FKSA1 bằng Infineon và IGD08N120S7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 - 1200V TrenchStop IGBT3 80A TO-247 | Infineon

IGW40N120H3FKSA1 - 1200V TrenchStop IGBT3 80A TO-247 | Infineon

IGW40N120H3FKSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IGW40N120H3FKSA1 IGD08N120S7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs IGBTs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series TRENCHSTOP™ IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V —
Current - Collector (Ic) Max 80 A —
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A —
Power - Max 483 W —
Gate Charge (Qg) 185 nC —
Input Type Standard —
Operating Temperature (TJ) -40 °C to +175 °C —
Kiểu lắp đặt Through Hole Surface Mount
Hộp / Vỏ PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
Packaging Tube —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Continuous Collector Current (Ic) 40 A (per Infineon product page) —
Product Family — IGBT 7 (S7) Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (Vce max) — 1200 V
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) — 24 A
Pulsed Collector Current (Icm) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) — 106 W
Gate-Emitter Voltage (Vge max) — [DATA_NEEDED: Vge max]
VCE(sat) at rated Ic — 1.65 V
Co-packaged Diode — Yes (anti-parallel emitter diode)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -40C to +175C (industry grade)
Hộp — PG-TO252-3 (DPAK)
Technology — Trench Field Stop, 7th generation
Configuration — Single

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá