IMZ120R045M1H vs IMW120R045M1H موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IMZ120R045M1H بذریعہ Infineon اور IMW120R045M1H بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IMZ120R045M1H | IMW120R045M1H |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET | CoolSiC SiC Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 1200 V | — |
| On-Resistance RDS(on) at 25°C | 45 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID at Tc=25°C) | 52 A | — |
| Total Power Dissipation at Tc=25°C | 228 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4.5 V (typical) | — |
| Turn-off Gate Voltage | 0 V capable | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | TO-247-4 (PG-TO247-4-1) | PG-TO247-3-41 (TO-247-3) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through-hole | Through Hole |
| Polarity | N-Channel | — |
| Driver Source Pin (Kelvin) | Yes - dedicated sense/source pin | — |
| Body Diode | Commutation-robust, synchronous-rectification ready | Robust, suitable for synchronous rectification |
| Qualification | JEDEC 47/20/22 (industrial) | Industrial grade |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 1200 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 45 mOhm at Tj = 25C |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 52 A at Tc = 25C |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | — | 228 W at Tc = 25C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V |
| Recommended Turn-On Gate Voltage | — | 15 V |
| Turn-Off Gate Voltage | — | 0 V |
| Configuration | — | Single N-channel with built-in body diode |
| Gate Drive Compatibility | — | IGBT-compatible gate drive |
| dv/dt Control | — | Fully controllable via gate resistor |
| Turn-Off Switching Losses | — | Temperature independent |
| Manufacturer Recommended Operating Margin | — | Do not exceed 80% of maximum ratings for optimum lifetime |