IPB60R280P7ATMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R085P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB60R280P7ATMA1 | IPL60R085P7AUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C (T_j max) | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 39 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 85 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 154 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -40 °C to +150 °C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ESD Robustness (HBM) | — | >2 kV (all pins) |
| Qualification | — | JEDEC industrial |
| Polarity | — | N-channel |