IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N10S3L34ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD30N06S2L13ATMA4 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N06S2L13ATMA4
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 30 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 180 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 57 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 31 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max 2.4 V —
Total Gate Charge (Qg) max 31 nC —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Package / Supplier Device Package PG-TO252-3-11 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Pin / Tab Count 3 (2 + Tab) —
Technology OptiMOS-T (trench) Planar (OptiMOS)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
Channel Type — N-Channel
Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
پیکیج — PG-TO252-3-11 (DPAK)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C (Tj)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
پن کی تعداد — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں