IPG20N04S4L07ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L07ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N04S4L07ATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ T2 | OptiMOS 5 |
| FET Type | 2x N-Channel (Dual, Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 7.2 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 65 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (4.5V VGS fully enhanced) | — |
| MSL لیول | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | 1 (unlimited) |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free terminations | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |