IPG20N04S4L07ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N04S4L07ATMA1 توسط Infineon و BSC014N04LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPG20N04S4L07ATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ T2 | OptiMOS 5 |
| FET Type | 2x N-Channel (Dual, Independent) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 7.2 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 65 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55°C to +175°C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8-4) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (4.5V VGS fully enhanced) | — |
| سطح MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) | 1 (unlimited) |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free terminations | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |